一、引言
昂貴的造價阻擋Micro顯示技術(shù)實際應(yīng)用，昂貴來自巨量轉(zhuǎn)移良品問題。巨量轉(zhuǎn)移問題關(guān)鍵，不是轉(zhuǎn)移，而是尺寸微?。ㄎ⒚准墸┑腖ED的兩電極與驅(qū)動電路精準鍵合，巨量的情況下保證良品率。
本技術(shù)方案：同規(guī)格的RGB三種晶圓，分別與芯片基板對位貼合，LED膜片與芯片基板上的TFT驅(qū)動電路精準鍵合，剝離分開；LED膜片三次晶圓級規(guī)模轉(zhuǎn)移，得到RGB芯片基板，解決了精準及效率問題。裁切下的RGB模組芯片（比如4x4mm），篩選剔除廢品，SMT 至PCB板上，就構(gòu)成Micro RGB顯示屏，可實現(xiàn)工廠顯示屏良品率100%。所涉及的工藝技術(shù)都是現(xiàn)有的。
二、晶圓級規(guī)模LED膜片轉(zhuǎn)移
（一）R LED膜片晶圓級規(guī)模轉(zhuǎn)移
芯片基板采用玻璃，便于其上制造薄膜晶體管TFT
芯片基板上的焊盤位置與LED膜片在其生長晶圓的位置一一相對應(yīng)，生長晶圓直接與芯片基板對位貼合，LED膜片精準對著芯片基板上的焊盤，只有需要轉(zhuǎn)移的LED膜片上設(shè)置有鍵合料（焊料），LED膜片鍵合（焊接）至芯片基板上，采用激光剝離工藝，得到R芯片基板。
三分之一的R LED膜片從其生長晶圓上精準鍵合轉(zhuǎn)移到芯片基板上
精準對位和規(guī)模轉(zhuǎn)移效率問題解決了
同一片芯片基板上的R LED膜片全部取自于同一片生長晶圓，其膜片轉(zhuǎn)移稱為晶圓級規(guī)模轉(zhuǎn)移，即一次晶圓級規(guī)模轉(zhuǎn)移中，有三分之一的生長晶圓上的LED膜片，轉(zhuǎn)移到芯片基板上。
每種生長晶圓上的LED膜片完成全部轉(zhuǎn)移，要經(jīng)過三次晶圓級規(guī)模轉(zhuǎn)移。
（二）G LED膜片晶圓級規(guī)模轉(zhuǎn)移
完成R LED膜片轉(zhuǎn)移的芯片基板，再與G生長晶圓對位貼合，進行G LED膜片的晶圓級規(guī)模轉(zhuǎn)移，得到RG芯片基板。
（三）B LED膜片晶圓級規(guī)模轉(zhuǎn)移
完成R LED膜片以及G LED膜片轉(zhuǎn)移得到的RG芯片基板，再與B生長晶圓對位貼合，進行B LED膜片的晶圓級規(guī)模轉(zhuǎn)移，得到RGB芯片基板。
R、G、B三種生長晶圓的規(guī)格相同，
RGB芯片基板需要經(jīng)過三次（R、G、B）晶圓級規(guī)模LED膜片轉(zhuǎn)移。
每種生長晶圓上的LED膜片完成全部轉(zhuǎn)移，要經(jīng)過三次晶圓級規(guī)模轉(zhuǎn)移。
三、RGB模組芯片
RGB芯片基板完成后續(xù)的工序（外側(cè)絕緣護層、外側(cè)電極以及引線、等等）后，就可分裁得到RGB模組芯片：
外側(cè)電極通過側(cè)壁引線與貼片焊盤導(dǎo)通，外側(cè)電極共一貼片焊盤，薄膜晶體管（TFT）驅(qū)動電路通過過孔與貼片焊盤導(dǎo)通。
LED膜片兩電極內(nèi)外兩側(cè)設(shè)置，降低了LED膜片鍵合難度；內(nèi)外電極相互錯位分開，有利于微小電流下光電效率。
左下圖是一種LED顯示驅(qū)動原理圖。采用該驅(qū)動方式，RGB模組芯片至少要有5個焊盤。右下圖是一4x4mm的RGB模組芯片的管腳面視圖，有5個貼片焊盤，0.7mm的間距，貼片精度要求不高，常規(guī)的貼片工藝。
四、RGB LED全彩屏
裁切下的RGB模組芯片（比如4x4mm），經(jīng)篩選剔除廢品，SMT 至PCB板上，就構(gòu)成Micro RGB顯示屏。
篩選剔除廢品，就可確保模組芯片的良品率100%，4x4mm為常規(guī)貼片，100%的良率常規(guī)，就可實現(xiàn)工廠顯示屏良品率100%。
像素間距為0.1mm（P 0.1），4x4mm模組芯片共有1600個像素點，即RGB芯片基板的素點的失效率不高于萬分之五，就可確保模組芯片的良品率100%，顯示屏良品率100%。
顯示屏像素點的允許失效率為百萬分之一，而本技術(shù)方案素點的失效率降低到不高于萬分之五，要求下降了100倍，避開了巨量之下良品率帶來的造價高起。
本技術(shù)方案所涉及的工藝技術(shù)都是現(xiàn)有的，Micro RGB顯示屏量產(chǎn)實用不用等五年，將是眼前之事。
